据悉，在今年九月即将亮相的Barcelona处理器首次使用了三级缓存, 同样集成了内存控制器，浮点运算单元支持4倍于以前的128bit精度。工艺技术方面，采用了65nm工艺的SOI CMOS技术。尤其在PMOS方面，采用了“embedded SiGe”。
缓存结构方式是：首先在各CPU内核中，1级缓存分别提供64KB的指令用缓存及数据用缓存，2级缓存以归属各CPU内核的方式分别提供512KB的缓存，3级缓存提供2MB的缓存，由各内核共享使用。相对英特尔的处理器AMD在缓存容量上略有欠缺。
除了首次将三级缓存设计在处理器中之外，此次芯片在结构上的新颖之处还在于：将38个温度传感器嵌入1个芯片中，能够基于细致的温度管理，独立控制工作频率及电压。具体而言，在各内核、配置在4处的HyperTransport电路以及北桥、内存控制器中总共嵌入了10个PLL。而温度传感器则在各CPU内核中分别嵌入了8个，与北桥中的6个合计共有38个。电源电压的控制方面，分为各CPU内核等共计10个区块独立进行控制。所支持的内存接口，包括DDR2以及DDR3的SDRAM。传输速度为最大1.6Gbit/秒，达到了以前的2倍。
